近年來,單晶硅片供應(yīng)商為了利益最大化,奉行只要單晶不掉苞就是好工藝。無位錯拉晶工藝要求籽晶用無位錯拉晶切割,在拉晶過程中下種引頸長度要大于一個晶錠直徑才能把位錯排凈,方可放肩。而現(xiàn)在引頸長度120-140mm完全低于6吋直徑150mm單晶。另外,單晶收尾時鍋底料要保證是投料量的10%左右,現(xiàn)在單晶供應(yīng)商恨不得把坩堝內(nèi)料全部拉完提盡。殊不知想多提走一點鍋內(nèi)料時,已造成坩堝內(nèi)熔體過冷,一旦材料過冷必然掉苞??雌饋硗暾瘴?,實際早已掉苞,這樣上返一個直徑的單晶已是位錯片。供應(yīng)商把這些位錯片完全輕而易舉轉(zhuǎn)嫁給用戶。
2.0黑斑片
電致發(fā)光EL(Electroluminescence)照片中黑心片和黑斑片是反映在通電情況下該部分沒有發(fā)出1150nm的紅外光,故紅外相片中反映出黑心和黑斑。發(fā)光現(xiàn)象和硅襯底少數(shù)載流子濃度有關(guān)。
圖1黑芯片(左)與黑斑片(右)
組件電性能測試如下圖所示。由圖可見,組件短路電流Isc(4.588A)和最大功率Pmax(143.028W)明顯偏低;此類正常組件短路電流Isc一般為5.2A,最大功率Pmax一般為175W以上。說明組件中存在著大量低效率電池片,導(dǎo)致組件功率的嚴重下降。
圖2組件電性能和EL測試