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圖10 樣片1位錯密度 圖11 樣片1位錯密度
10E5~10E6（×500倍） 10E5~10E6（×500倍）
圖12 樣片2位錯密度10E6~10E7（×200倍） 圖13 樣片2位錯密度10E6~10E7（×500倍）
最后，對圖9中，樣片2所示的黑心內(nèi)外做SIMS測試，測試結(jié)果如表2所示。SIMS測試結(jié)果顯示，黑心內(nèi)外各種雜質(zhì)含量正常。
表2樣片2 SIMS測試
3.0出現(xiàn)黑芯或黑斑的原因
引起電池片出現(xiàn)黑芯或黑斑的原因大體有兩個：一個為雜質(zhì)離子含量過高，另一個為硅片本身存在缺陷，即位錯。
位錯又可稱為差排（英語：dislocation），在材料科學中，指晶體材料的一種內(nèi)部微觀缺陷，即原子的局部不規(guī)則排列（晶體學缺陷）。從幾何角度看，位錯屬于一種線缺陷，可視為晶體中已滑移部分與未滑移部分的分界線，其存在對材料的物理性能，尤其是力學性能，具有極大的影響。
如果硅片中存在著極高的位錯密度，成為少數(shù)載流子的強復合中心，使得少子壽命短，最終導致電池性能的嚴重下降。
綜上所述，黑芯片會使組件功率降低，熱斑效應嚴重，組件壽命大大降低。（作者微信公眾賬號：光伏經(jīng)驗網(wǎng)）
附：
參考文獻
【1】黑心電池片和衰減的研究，常州華陽光伏檢測技術(shù)有限公司。
【2】張光春，硅片質(zhì)量對太陽能電池性能的影響，尚德電力控股有限公司。
【3】單晶位錯對電池性能的影響，尚德電力控股有限公司。
【4】形成黑芯片、黑斑片主要成因，尚德電力控股有限公司。
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