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為15.2％的轉(zhuǎn)換效率做出貢獻的是：（1）硒化工序的改進、（2）圖案形成工序的改進、（3）模塊結(jié)構(gòu)的改進、（4）追加TCO保護膜。其中（1）方面，通過在高溫環(huán)境下實施硒化工序，提高了光吸收層的結(jié)晶性。雖然以前的研究結(jié)果就表明，硒化處理時的溫度越高、光吸收層的結(jié)晶性就越高，但這時光吸收層與襯底之間的密著性會變差，因此不能在足夠的高溫下實施硒化處理。此次本田通過優(yōu)化硒化工序時的氣體濃度，發(fā)現(xiàn)了高溫下密著性不會變差的條件。
（2）方面，通過改進圖案形成工序，可同時完成以前分別實施的兩次圖案形成工序。通過同時加工，可輕松控制兩組圖案的間隔。這樣便可使圖案間隔變窄，從而減少無助于發(fā)電的無用區(qū)域，另外還有助于簡化生產(chǎn)工序。
轉(zhuǎn)換效率達到15.2％的模塊的開路電壓為232.6V，短路電流為0.601A，填充因子為0.732，最大輸出功率為102.3W。
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