西安交通大學(xué)金屬材料強(qiáng)度國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室趙超博士和馬偉教授分析認(rèn)為,決定電學(xué)邊緣貢獻(xiàn)的關(guān)鍵物理參數(shù)是電壓分布而不是電阻。隨著光照強(qiáng)度降低,光電流減小,器件邊緣的電壓分布變寬,有效邊緣面積增大,導(dǎo)致器件的有效面積增大,造成弱光下Jsc高估?;谏鲜龇治觯芯繄F(tuán)隊(duì)提出等效電路模型,以研究光照強(qiáng)度和器件表面電阻對(duì)電學(xué)邊緣效應(yīng)的影響。計(jì)算和實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,當(dāng)界面電阻為1MΩ/sq時(shí),在標(biāo)準(zhǔn)光照下(1 sun),邊緣效應(yīng)很?。蝗欢?,在低光照下(0.01 sun),邊緣效應(yīng)將導(dǎo)致Jsc高估>70%,PCE高估>22%。該機(jī)制適用于所有類(lèi)型的光伏器件,包括有機(jī)太陽(yáng)能電池、鈣鈦礦太陽(yáng)能電池和染料敏化太陽(yáng)能電池。此外,電學(xué)邊緣效應(yīng)通常被認(rèn)為只發(fā)生在具有導(dǎo)電層的器件中,本研究揭示非導(dǎo)電層的界面摻雜也能造成明顯的電學(xué)邊緣效應(yīng):在0.01 sun光照下,Jsc高估51%,PCE高估15%。相比導(dǎo)電界面層,界面摻雜引起邊緣效應(yīng)從未被關(guān)注,也極易被忽視。進(jìn)一步研究,團(tuán)隊(duì)發(fā)現(xiàn)隨著表面粗糙度的增大,界面電阻減小,導(dǎo)致更強(qiáng)的邊緣效應(yīng)。基于以上結(jié)果,團(tuán)隊(duì)提出增加器件的有效面積、降低表面粗糙度、使用掩膜、設(shè)計(jì)無(wú)邊緣器件結(jié)構(gòu),以避免電學(xué)邊緣效應(yīng)導(dǎo)致Jsc高估和PCE高估。該工作為電學(xué)邊緣效應(yīng)的內(nèi)在機(jī)制及其對(duì)器件性能評(píng)估的影響提供了新見(jiàn)解,有利于促進(jìn)室內(nèi)光伏器件研究領(lǐng)域的健康發(fā)展。
該研究成果以《弱光器件中電學(xué)邊緣效應(yīng)導(dǎo)致光電流高估》(Electrical edge effect induced photocurrent overestimation in low-light organic photovoltaics)為題發(fā)表于《焦耳》(Joule)。西安交大材料學(xué)院博士生周曉波為第一作者。西安交大金屬材料強(qiáng)度國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室趙超博士、馬偉教授,華盛頓州立大學(xué)Brian A. Collins教授為共同通訊作者。西安交大金屬材料強(qiáng)度國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室為第一通訊單位。該工作合作者還包括西安交大金屬材料強(qiáng)度國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室周科副教授和東華大學(xué)先進(jìn)低維材料中心馬在飛教授。
原標(biāo)題:【科技自立自強(qiáng)】西安交大科研人員揭示弱光有機(jī)光伏器件中光電流高估機(jī)理