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(GB/T 6618-2009)硅片厚度和總厚度變化測試方法
日期:2015-02-10   [復(fù)制鏈接]
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3.2掃描式測量

硅片由基準(zhǔn)環(huán)上的3個半球狀頂端支承,在硅片中心點(diǎn)進(jìn)行厚度測量,測量值為硅片的標(biāo)稱厚度。

然后按規(guī)定圖形掃描硅片表面,進(jìn)行厚度測量,自動指示儀顯示出總厚度變化。掃描路徑圖見圖2。

4干擾因素

4.1分立點(diǎn)式測量


4.1.1由于分立點(diǎn)式測量總厚度變化只基于5點(diǎn)的測量數(shù)據(jù),硅片上其他部分的無規(guī)則幾何變化不能被檢測出來。

4.1.2硅片上某一點(diǎn)的局部改變可能產(chǎn)生錯誤的讀數(shù)。這種局部的改變可能來源于表面缺陷例如崩邊,沽污,小丘,凹坑,刀痕,波紋等。

4.2掃描式測量

4.2.1在掃描期間,參考平面的任何變化都會使測量指示值產(chǎn)生誤差,相當(dāng)于在探頭軸線上最大與最小值之差在軸線矢量值的偏差。如果這種變化出現(xiàn),可能導(dǎo)致在不正確的位置計算極值。

4.2.2參考平面與花崗巖基準(zhǔn)面的不平行度也會引起測試值的誤差。

4.2.3基準(zhǔn)環(huán)和花崗巖平臺之間的外來顆粒、沽污會產(chǎn)生誤差。

4.2.4測試樣片相對于測量探頭軸的振動會產(chǎn)生誤差。

4.2.5掃描過程中,探頭偏離測試樣片會給出錯誤的讀數(shù)。

4.2.6本測試方法的掃描方式是按規(guī)定的路徑進(jìn)行掃描,采樣不是整個表面,不同的掃描路徑可產(chǎn)生不同的測試結(jié)果。
 
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