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科學(xué)家們聲稱，他們能研制出一種優(yōu)質(zhì)薄膜單晶硅，其厚度約為10μm、且晶體缺陷密度被降低。其硅密度降低到硅晶片的水平，而增長速度超出先前的10倍以上。

 

研究人員通過一種區(qū)域加熱重結(jié)晶方法(ZHR法)，將表面粗糙度降低到0.2-0.3nm?；兹缓笠愿咚偕L，生產(chǎn)出具有高晶體質(zhì)量的單晶薄膜。利用雙層多孔硅層可以很容易將長好的薄膜剝離下來，基底可重復(fù)使用或作為薄膜生長的蒸發(fā)源，從而大幅減少了材料損失。這一工藝同時顯示，表面粗糙度在0.1-0.2nm范圍以內(nèi)對晶體缺陷的形成具有重要影響。

 

科學(xué)家們在聲明中表示，這種薄膜硅作為低成本的底部電池，應(yīng)用在串聯(lián)型太陽能電池中，其效率有可能超過30%。