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目標(biāo)直指平價(jià)上網(wǎng) 保利協(xié)鑫重磅發(fā)布新型單晶G3硅片
日期:2017-04-20   [復(fù)制鏈接]
責(zé)任編輯:xiaoguang 打印收藏評(píng)論(0)[訂閱到郵箱]
 編者按:4月19日,伏材料龍頭保利協(xié)鑫在2017 SNEC國(guó)際太陽(yáng)能產(chǎn)業(yè)及伏工程展覽會(huì)上重磅發(fā)布G3新型單晶硅片產(chǎn)品。據(jù)介紹,該產(chǎn)品使用鑄錠技術(shù)生產(chǎn)單晶,在效率、品質(zhì)、成本、產(chǎn)量上綜合了單晶和多晶各自的優(yōu)勢(shì)。
萬(wàn)躍鵬
來(lái)自多家電池組件企業(yè)的數(shù)據(jù)顯示,新型單晶硅片G3在常規(guī)電池工藝、PERC高效電池工藝下與直拉單晶的效率差均小于0.5個(gè)百分點(diǎn),同時(shí)在成本上有明顯優(yōu)勢(shì),對(duì)的高效化、平價(jià)化發(fā)展意義重大,引發(fā)伏業(yè)界的廣泛關(guān)注。

據(jù)介紹,鑄錠單晶硅片G3基于保利協(xié)鑫最新的整錠全單晶技術(shù)平臺(tái),批量生產(chǎn)的整錠單晶硅片G3在常規(guī)工藝下的電池轉(zhuǎn)換效率可達(dá)19.52%,在PERC電池工藝下可達(dá)20.85%,與同樣工藝的直拉單晶效率相差不超過(guò)0.5個(gè)百分點(diǎn)。與同樣邊長(zhǎng)的直拉單晶硅片相比,整錠單晶硅片面積更大,組件封裝損失更小。普通單晶電池工藝的G3硅片60片組件功率達(dá)到280-285瓦,應(yīng)用PERC工藝可達(dá)295-300瓦。

不僅如此,G3硅片還繼承了鑄錠技術(shù)產(chǎn)品“衰”較低的優(yōu)點(diǎn),氧含量?jī)H為直拉單晶的一半,甚至優(yōu)于常規(guī)多晶硅片,因而由此帶來(lái)的組件衰顯著優(yōu)于傳統(tǒng)直拉單晶。對(duì)應(yīng)用端來(lái)說(shuō),G3新產(chǎn)品同時(shí)實(shí)現(xiàn)了“高效率”、“低衰減”的雙重目標(biāo),實(shí)際輸出功率更高。

保利協(xié)鑫首席技術(shù)官萬(wàn)躍鵬在發(fā)布會(huì)上坦言對(duì)G3新產(chǎn)品同時(shí)實(shí)現(xiàn)高效率、低成本的信心。他表示,由于鑄錠單晶技術(shù)產(chǎn)出的同樣是晶向一致、位錯(cuò)密度低的單晶,可與傳統(tǒng)直拉單晶一樣使用堿制絨工藝,因此轉(zhuǎn)換效率非常接近直拉單晶產(chǎn)品,并完全適用于PERC等高效電池技術(shù),帶來(lái)更高的產(chǎn)品效率。同時(shí),G3新型單晶使用鑄錠技術(shù),單次投料量大,生產(chǎn)成本明顯優(yōu)于采用“一爐三根”、“一爐四根”的直拉法單晶。再加上G3產(chǎn)品雜質(zhì)低,可采用金剛線切片技術(shù),因此降本成效顯著。

萬(wàn)躍鵬表示,保利協(xié)鑫預(yù)測(cè)2020年前可以實(shí)現(xiàn)伏平價(jià)上網(wǎng),并據(jù)此制定了伏材料的成本下降路線圖。根據(jù)規(guī)劃,保利協(xié)鑫預(yù)計(jì)在2020年前硅片成本下降30%,全新一代鑄錠單晶技術(shù)就是關(guān)鍵性發(fā)展方向之一。業(yè)界也對(duì)此寄予厚望。晉能科技總經(jīng)理?xiàng)盍⒂巡┦吭诎l(fā)布會(huì)上表示,就鑄錠技術(shù)而言,G3新型單晶產(chǎn)品帶來(lái)了轉(zhuǎn)換效率的“質(zhì)”的提升,相信在國(guó)內(nèi)強(qiáng)大的伏產(chǎn)業(yè)鏈的支撐下,鑄錠單晶技術(shù)在未來(lái)將有很大的發(fā)展空間。

原標(biāo)題:目標(biāo)直指平價(jià)上網(wǎng) 保利協(xié)鑫重磅發(fā)布新型單晶G3硅片
 
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