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N型HJT儲(chǔ)能電池又稱(chēng)HIT電池（三洋核心專(zhuān)利期間名稱(chēng)），HIT電池最早由日本三洋公司于1990年成功開(kāi)發(fā)，因HIT已被三洋注冊(cè)為商標(biāo)，因此又被稱(chēng)為HJT、HDT、或SHJ（Silicon Heterojunction），當(dāng)時(shí)轉(zhuǎn)換效率可達(dá)到14.5%（4mm2的電池），后來(lái)在三洋公司的不斷改進(jìn)下，三洋HJT電池的轉(zhuǎn)換效率于2015年已達(dá)到25.6%。2015年三洋的HJT專(zhuān)利保護(hù)結(jié)束，技術(shù)壁壘消除，是我國(guó)大力發(fā)展和推廣HJT技術(shù)的大好時(shí)機(jī)。HJT電池是由晶硅材料和非晶材料形成，在晶體硅上形成非晶體薄膜，并通過(guò)特殊技術(shù)讓P型和N型半導(dǎo)體構(gòu)成一種特殊的PN結(jié)，本身屬于N型電池的一種，是單晶雙面電池，具有工藝簡(jiǎn)單、發(fā)電量高、度電成本低的優(yōu)勢(shì)，可能會(huì)成為繼PERC電池之后的行業(yè)熱點(diǎn)。

以N型單晶硅(C-Si)為襯底光吸收區(qū)，經(jīng)過(guò)制絨清洗后，其正面依次沉積厚度為5-10nm的本征非晶硅薄膜(i-a-Si:H)和摻雜的P型非晶硅(P-a-Si:H),和硅襯底形成P-N異質(zhì)結(jié)。硅片的背面又通過(guò)沉積厚度為5-10nm的i-a-Si:H和摻雜的N型非晶硅(n-a-Si:H)形成背表面場(chǎng)，雙面沉積的透明導(dǎo)電氧化物薄膜(TCO)，最后通過(guò)絲網(wǎng)印刷在兩側(cè)的頂層形成金屬基電極，即為異質(zhì)結(jié)電池的典型結(jié)構(gòu)。

HJT因?yàn)楣怆娹D(zhuǎn)換效率高，雙面率高，設(shè)備工藝流程簡(jiǎn)化，產(chǎn)品光衰減低，穩(wěn)定性強(qiáng)，降本增效空間大，技術(shù)層面，根據(jù)所使用硅片的不同，光伏電池片主要分為晶硅電池片（P型）和非晶硅薄膜電池片（N型），其中PERC是當(dāng)前的主流技術(shù)路徑，市占率在85%左右，但受制于本身光電轉(zhuǎn)換效率臨近天花板，業(yè)內(nèi)正在逐步嘗試使用具有更高光電轉(zhuǎn)換效率的HJT電池片來(lái)替代。
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我國(guó)前三大光伏電池片廠商分別為愛(ài)旭股份、通威股份和隆基綠能，2021年合計(jì)市占率達(dá)36.5%。其中，通威股份在HJT電池方面是絕對(duì)龍頭，國(guó)內(nèi)市占率在20%以上。

HJT電池的實(shí)驗(yàn)室效率達(dá)到26%以上，現(xiàn)有主流廠商的平均量產(chǎn)效率達(dá)到23%。從效率來(lái)看的確比PERC電池要高出一個(gè)臺(tái)階。HJT電池工藝流程簡(jiǎn)潔，目前市場(chǎng)主流的電池技術(shù)PERC需要8-10道工序，而HJT技術(shù)只有四道工序，分別為清洗制絨、非晶硅薄膜沉積，TCO薄膜制備和絲網(wǎng)印刷。其中清洗制絨和絲網(wǎng)印刷都是傳統(tǒng)硅晶電池的工藝，HJT獨(dú)特的工藝在于非晶硅薄膜沉積和TCO膜的沉積。

原標(biāo)題：N型HJT儲(chǔ)能電池：降本利器