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NREL團隊在實驗室的超級計算機上進行了很多模擬實驗，在硅晶片相鄰的氧化層添加雜質。具體來講，他們在薄的隧道二氧化硅層引入雜質；還在硅晶片相鄰的氧化鋁表面鈍化層添加雜質。

這兩種情況下添加雜質，被認為是有益的，通過提升電池多數(shù)載流子的傳輸速度，排斥少數(shù)載流子，能提高整體效率。

NREL模擬實驗從硅晶片相鄰的氧化層除去某些原子，用一個不同元素的原子來替換，從而創(chuàng)造出虛擬的"缺陷。例如，當氧原子被氟原子替換，這樣就會產生一個缺陷，進而可以促進電子收集。
NREL研究表示，確定出正確的“缺陷”才是過程的關鍵，通過進一步研究將會確定哪一處缺陷將會產生最好的結果。