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據(jù)外媒報(bào)道，英飛凌科技公司（Infineon Technologies）擴(kuò)大與碳化硅（SiC）供應(yīng)商Resonac公司的合作。根據(jù)新協(xié)議，Resonac將為英飛凌提供用于生產(chǎn)SiC半導(dǎo)體的SiC材料，預(yù)計(jì)占其未來(lái)十年需求量的兩位數(shù)份額。

除了直徑為150mm的材料，Resonac還計(jì)劃為英飛凌提供直徑為200mm的SiC材料。

與傳統(tǒng)的硅晶片（silicon-wafer-based）功率半導(dǎo)體相比，SiC功率半導(dǎo)體可以降低功率損耗，釋放的熱量更少，從而節(jié)省能源。因此，SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)正在迅速擴(kuò)大，尤其是在電動(dòng)汽車等領(lǐng)域。

SiC功率半導(dǎo)體的性能，在很大程度上受到SiC外延片（epi-wafer）的影響。因此，外延片需要具有低表面缺陷密度，而且質(zhì)量穩(wěn)定。目前，SiC功率半導(dǎo)體主要由直徑150mm（6英寸）的SiC外延片制成。SiC外延片的直徑越大，功率器件制造商生產(chǎn)的SiC功率半導(dǎo)體芯片就越多。因此，器件制造商希望引入直徑比傳統(tǒng)外延片更大的SiC外延片，從而提高生產(chǎn)率，降低器件成本。自2021年以來(lái)，Resonac一直在加速開(kāi)發(fā)200mm SiC外延片。

此外，Resonac將加強(qiáng)與英飛凌的聯(lián)合開(kāi)發(fā)活動(dòng)，加速改進(jìn)SiC外延片技術(shù)和產(chǎn)品質(zhì)量。作為合作的一部分，英飛凌將向Resonac提供與SiC材料技術(shù)相關(guān)的知識(shí)產(chǎn)權(quán)。

目前，英飛凌正在擴(kuò)大其SiC制造能力，以期在2030年前占據(jù)30%的市場(chǎng)份額。到2027年，英飛凌的SiC制造能力預(yù)計(jì)將提高10倍。其位于馬來(lái)西亞居林（Kulim）的新工廠計(jì)劃于2024年投產(chǎn)。如今，英飛凌已為全球3600多家客戶提供SiC半導(dǎo)體產(chǎn)品。

原標(biāo)題： Resonac將為英飛凌提供SiC材料 用于生產(chǎn)功率半導(dǎo)體