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“同質結太陽能電池是用晶體硅作為吸收層的n型和p型層制造的。相反，異質結技術將基于晶圓的光伏技術(標準)與薄膜技術相結合，為 異質結太陽能電池 提供最佳功能。那么制造異質結太陽能電池的材料有哪幾種呢？「美能光伏」為異質結太陽能電池產業(yè)生產工藝上提供了怎樣的技術測試支持呢？”

三種重要的材料 — 用于異質結太陽能電池:晶體硅(c-Si)，非晶硅(a-Si)，氧化銦錫(ITO)

晶體硅「 c-Si 」

晶體硅（c-Si）是當今快速發(fā)展的光伏（PV）產業(yè)的基礎，并以晶體晶片的形式經常被用于制造標準的同結太陽能電池。硅似乎是接近理想的光伏材料，因為它豐富、無毒，并且受益于龐大的知識庫和工業(yè)基礎設施。通過在玻璃上沉積非晶硅（a-Si:H），然后在550-600C下退火6-24小時，可以很容易地生長c-Si薄膜。最大的挑戰(zhàn)可能是Si和SiO 2的高界面反應性。盡管如此，硅外延已經在許多國外襯底上實現(xiàn)。光伏太陽能電池可能需要外延增厚到2-10米，有效光捕獲達到15%或更高的效率。c-Si有兩種，多晶硅和單晶硅，但 單晶硅 是HJT太陽能電池唯一考慮使用的一種，因為它有更高的純度，因此效率更高。


非晶硅「 a-Si 」

在70年代，人們發(fā)現(xiàn) 非晶硅（a-Si）適合用于 薄膜光伏技術，并且可以作為太陽能電池中的半導體，是制造異質結太陽能電池的第二大重要材料。就器件特性而言，非晶硅不同于晶體（有序）硅。在不需要形成晶體的情況下，可以在遠低于200℃的溫度（約200℃）下在各種基板材料上加工，為各種電子產品提供了一些獨特的性能。但是此工藝會導致結構損失和缺陷，例如懸垂鍵和扭曲的Si-Si鍵（在長度和角度上）。缺陷在電子與空穴重新結合的能隙中產生能級，從而限制了電流。雖然a- si本身有密度缺陷，但應用氫化工藝可以解決這些問題，產生 氫化非晶硅(a- si:H)，這種工藝更容易摻雜，帶隙更寬，使其更好地用于制造HJT電池。

在 理想的非晶硅 中，所有的氫都是單配位的，硅是四配位的。非晶材料的許多特性可能存在缺陷受控，例如磁性、光電行為、振動特性和機械特性。對于某些材料，如硫系玻璃，實驗上不可能達到理想的非晶態(tài)，因為即使在熔體的熱平衡中也存在結構缺陷，因此在凝固時會凍結。

氫化非晶硅 自70年代引入以來一直是一種很有前途的材料，其用途一直持續(xù)到今天，用于混合太陽能電池、開關器件、數(shù)字X射線和光學成像、可見光致發(fā)光、薄膜晶體管、用于檢測生物分子的光傳感器、微機電系統(tǒng)（MEMS）、氣體傳感器、，高能粒子像素探測器、光電探測器等。氫化非晶硅薄膜及其合金是實現(xiàn)先進光電器件的有力競爭者。

「美能光伏」針對 非晶硅材料，研發(fā)了 傅里葉變換紅外光譜儀 和 研發(fā)級晶化率測試儀，幫助企業(yè)控制生產工藝，提高商業(yè)成品電池片光電轉化率！

氧化銦錫「 ITO 」

氧化銦錫 是氧化銦（III）和氧化錫（SnO2）的固溶體，作為透明半導體材料具有獨特的性能。氧化銦錫通常在大多數(shù)體積中立即可用?？梢钥紤]高純度，亞微米和納米粉末形式。

氧化銦錫（ITO）是 異質結太陽能電池透明導電氧化物(TCO)層的首選材料，透明導電氧化物（TCO）薄膜的沉積技術對于光電器件的高性能至關重要。ITO的反射率和電導率特性使其成為HJT太陽能電池較好的接觸層和外層。

「美能光伏」針對 ITO減反射層，提供專業(yè)的檢測設備：霍爾效應測試儀 和 分光光度計，為電池片研發(fā)測試保駕護航！


環(huán)境保護 成為了全世界關注的焦點問題，我國調整能源結構是國家戰(zhàn)略層面的選擇，未來國家大力 推進新能源和可再生能源建設的趨勢將不可逆轉，光伏發(fā)電的規(guī)模在未來將進一步擴大。異質結太陽能電池的應用場景極為廣泛，為太陽能行業(yè)擴大太陽能發(fā)電的應用市場開辟了新道路。

原標題：制造異質結太陽能電池的材料