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“碳中和”趨勢浪潮下，以GaN、SiC為代表的第三代半導(dǎo)體具備耐高溫、耐高壓、高頻率、大功率等優(yōu)勢，相比硅器件可降低50%以上的能量損失，并減小75%以上的裝備體積，是助力社會節(jié)能減排并實現(xiàn)“碳中和”目標的重要發(fā)展方向。

以光伏逆變器為例，由于對功率半導(dǎo)體器件性能、指標和可靠性要求日益提高，更高的工作電壓、更大的工作電流、更高的功率密度以及更高的工作溫度都將是未來的挑戰(zhàn)。隨著行業(yè)邁入“后1500V”以及“20A大電流”時代，要建成更大組串，進一步降低成本，采用寬禁帶半導(dǎo)體即GaN和SiC，成為太陽能逆變器的制勝之道。

具有GaN和SiC隔離器的電力電子設(shè)備可將太陽能微逆變器和串式逆變器的效率提升到98%以上，并且在微型逆變器領(lǐng)域可在不增加電力成本的基礎(chǔ)上具有最大的價格溢價能力。因此SiC模塊已得到英飛凌、安森美、富士電機等國際大廠的規(guī)模化應(yīng)用。當(dāng)前國內(nèi)碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈也正在快速突破，斯達半導(dǎo)、新潔能、聞泰科技、露笑科技等公司新成果頻現(xiàn)，全球碳化硅市場規(guī)模正在快速成長。

原標題：第三代半導(dǎo)體