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 證券代碼：605111 證券簡(jiǎn)稱：新潔能 公告編號(hào)：2022-042

無錫新潔能股份有限公司

第四屆董事會(huì)第四次會(huì)議決議公告

本公司董事會(huì)及全體董事保證本公告內(nèi)容不存在任何虛假記載、誤導(dǎo)性陳述或者重大遺漏，并對(duì)其內(nèi)容的真實(shí)性、準(zhǔn)確性和完整性承擔(dān)法律責(zé)任。

一、董事會(huì)會(huì)議召開情況

無錫新潔能股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“公司”）第四屆董事會(huì)第四次會(huì)議通知于2022年6月22日以郵件的方式發(fā)出，會(huì)議于2022年6月27日以通訊方式召開。會(huì)議由董事長朱袁正主持，應(yīng)參加會(huì)議董事9人，實(shí)際參加會(huì)議董事9人。本次董事會(huì)的召集、召開程序符合《中華人民共和國公司法》和《無錫新潔能股份有限公司章程》的有關(guān)規(guī)定，會(huì)議形成的決議合法有效。

二、董事會(huì)會(huì)議審議情況

經(jīng)全體董事認(rèn)真審閱，以書面記名方式對(duì)議案進(jìn)行了表決，一致通過如下議案：

1、審議通過《關(guān)于全資子公司金蘭功率半導(dǎo)體（無錫）有限公司增資擴(kuò)股引進(jìn)投資者暨公司放棄優(yōu)先認(rèn)購權(quán)的議案》；

表決結(jié)果：贊成票9票，反對(duì)票0票，棄權(quán)票0票，本議案通過。

根據(jù)公司發(fā)展戰(zhàn)略規(guī)劃以及全資子公司金蘭功率半導(dǎo)體（無錫）有限公司（以下簡(jiǎn)稱“金蘭功率”）的生產(chǎn)經(jīng)營需要，金蘭功率擬將注冊(cè)資本由6,000萬元人民幣增加至10,000萬元人民幣，新增注冊(cè)資本4,000萬元人民幣由上海千凱優(yōu)電力技術(shù)合伙企業(yè)（有限合伙）以4,000萬元人民幣認(rèn)購，公司放棄優(yōu)先認(rèn)購權(quán)。

2、審議通過《關(guān)于對(duì)國硅集成電路技術(shù)（無錫）有限公司增資的議案》；

表決結(jié)果：贊成票9票，反對(duì)票0票，棄權(quán)票0票，本議案通過。

根據(jù)公司發(fā)展戰(zhàn)略規(guī)劃及實(shí)際發(fā)展經(jīng)營的需要，擬以自有資金8,000萬元人民幣對(duì)國硅集成電路技術(shù)（無錫）有限公司進(jìn)行增資，注冊(cè)資本由315.7895萬元增加至631.579萬元，增資后公司持股比例由5%增至52.5%。本次增資以收益法評(píng)估結(jié)果作為定價(jià)依據(jù)，評(píng)估基準(zhǔn)日為2022年3月31日，增資后國硅集成電路技術(shù)（無錫）有限公司納入公司2022年度合并財(cái)務(wù)報(bào)表范圍。

國硅集成電路技術(shù)（無錫）有限公司是一家專注于車規(guī)級(jí)智能功率集成電路芯片的設(shè)計(jì)公司，擁有完整的自主研發(fā)體系并掌握多項(xiàng)國內(nèi)領(lǐng)先的關(guān)鍵核心技術(shù)，國內(nèi)首創(chuàng)四端口單片集成高壓自舉、自適應(yīng)高壓側(cè)窄脈沖傳輸、增強(qiáng)型快速電平移位、互導(dǎo)型電容隔離信號(hào)傳輸、超高精度的片上集成雙向過流保護(hù)等多項(xiàng)功率IC芯片核心技術(shù)，已形成系列智能功率集成電路芯片，包括：柵極驅(qū)動(dòng)控制IC芯片（含IGBT、硅基MOSFET及三代半導(dǎo)體等開關(guān)器件的柵極驅(qū)動(dòng)芯片）、電機(jī)驅(qū)動(dòng)IC芯片（含半橋、H橋、三相橋）；智能功率IC開關(guān)（Smart MOS）和功率驅(qū)動(dòng)控制IC芯片及模塊（DrMOS、IPM等）系列產(chǎn)品在積極研發(fā)中。產(chǎn)品應(yīng)用市場(chǎng)已涵蓋汽車電子、光伏及儲(chǔ)能、數(shù)據(jù)中心和工業(yè)控制等領(lǐng)域。目前，國硅的智能功率集成電路芯片已經(jīng)在光伏逆變、光伏儲(chǔ)能、汽車電子和工業(yè)控制等市場(chǎng)成功上量。

公司本次對(duì)國硅進(jìn)行增資并實(shí)現(xiàn)控股，構(gòu)建了集成電路領(lǐng)域發(fā)力平臺(tái)，不僅新增了IC系列產(chǎn)品本身，還能與公司既有IGBT、SiC MOSFET、GaN HEMT、SGT MOSFET、超結(jié)MOSFET等芯片集成創(chuàng)新，形成智能功率集成產(chǎn)品。在保持公司既有產(chǎn)品技術(shù)持續(xù)創(chuàng)新、領(lǐng)先的同時(shí)，又拓展了智能化、集成化的產(chǎn)品系列，提高了公司產(chǎn)品的整體領(lǐng)先性與綜合技術(shù)門檻，增強(qiáng)了公司的核心競(jìng)爭(zhēng)力，進(jìn)一步滿足高端客戶的創(chuàng)新需求，為終端客戶提供包含IGBT、SiC MOSFET、GaN HEMT、SGT MOSFET、超結(jié)MOSFET、智能功率IC芯片、智能功率模塊等功率半導(dǎo)體芯片的整體解決方案，向打造國內(nèi)功率半導(dǎo)體第一品牌的目標(biāo)又前進(jìn)了一大步。

特此公告。