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電池技術(shù)向高效路線發(fā)展，推動(dòng)銀漿需求結(jié)構(gòu)性變化。

電池技術(shù)向高效路線進(jìn)化：P-PERC 替代常規(guī)單晶，N 型技術(shù)路線繁多。歷史上電池片環(huán)節(jié)經(jīng)歷了單晶替代多晶、P-PERC 替代常規(guī)單晶的技術(shù)迭代。

其中常規(guī)單晶電池是鋁背場(chǎng)電池，在硅片的背光面沉積一層鋁膜；

P-PERC 電池通過引入背鈍化和開槽接觸工藝，在電池背面形成背反射器，減少入射光損失，但背面開槽處金屬接觸區(qū)域增加額外的復(fù)合電流；

N 型電池技術(shù)路線繁多，其中 N-PERT 是 P-PERC 技術(shù)的改進(jìn)型，在形成鈍化層基礎(chǔ) 上進(jìn)行全面的擴(kuò)散，加強(qiáng)鈍化層效果；

TOPCon 在電池表面制備一層超薄氧化硅和一層高摻雜多晶硅，氧化硅的化學(xué)鈍化和多晶硅層的場(chǎng)鈍化作用可以顯著降低晶硅表面少子復(fù)合速率，同時(shí)超薄多晶硅層可保證多子的有效隧穿；

HIT 通過引入非晶硅本征薄層來提升單晶硅的表面鈍化性，使表面復(fù)合電流顯著減小；

IBC 把正負(fù)電極置于電池背面，減少置于正面的電極反射一部分入射光帶來的陰影損失。

N 型電池的發(fā)展將推動(dòng)銀漿需求結(jié)構(gòu)發(fā)生變化。

（1）N 型電池對(duì)銀漿的單位耗量增加：

N 型晶硅太陽能電池是天然的雙面電池，N 型硅基體的背光面亦需要通過銀漿來實(shí)現(xiàn)如 P 型晶硅電池正面的電極結(jié)構(gòu)。

同時(shí)，N 型晶硅電池的正面 P 型發(fā)射極需要使用相對(duì) P 型晶硅電池更多的銀漿，才能實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)可接受的導(dǎo)電性能。

因此，N 型電池除了轉(zhuǎn)換效率要顯著高于 P 型晶硅電池外，對(duì)銀漿的需求量也要高于 P 型晶硅電池。

根據(jù) CPIA 數(shù)據(jù)，N 型電池中 HJT 電池對(duì)銀漿的單位耗量是普通 P 型電池的 3 倍，從每瓦銀漿耗量的角度上來說，N 型電池每瓦耗量仍高于 P 型電池。

隨著 N 型硅電池的未來市場(chǎng)占有率增加，正面銀漿市場(chǎng)需求量有望進(jìn)一步增加。

（2）異質(zhì)結(jié)電池需搭配使用低溫銀漿：

傳統(tǒng) P 型電池使用高溫銀漿，HJT 電池由于其內(nèi)部的非晶硅層對(duì)溫度十分敏感，電池片制造溫度有一定限制，因此需搭配使用低溫銀漿。

HJT 電池是在晶硅基片上使用薄膜技術(shù)制作 P-N 節(jié)、減反射層和導(dǎo)電層的新型電池工藝技術(shù)，其整個(gè)電池制作前道過程的工藝溫度均不超過 250 攝氏度。

如果使用與晶硅電池一致的高溫銀漿制作電池的正/負(fù)電極，該銀漿成型需要 700 攝氏度以上的高溫，這將會(huì)對(duì) HJT 電池的薄膜結(jié)構(gòu)造成非常大的損傷。

原標(biāo)題：電池技術(shù)路線向N型迭代，銀漿需求結(jié)構(gòu)性變化 ‍